[发明专利]非易失性存储器件、包括其的存储器系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201710229623.X | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107256718B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 姜相喆;权锡千;李秀雄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/06;G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 包括 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器系统，包括：至少一个非易失性存储器件；存储器控制器，被配置为控制所述至少一个非易失性存储器件的操作；以及电源，被配置为向所述至少一个非易失性存储器件提供电源电压和高电压，所述高电压高于所述电源电压，其中，所述至少一个非易失性存储器件被配置为分别基于所述电源电压产生第一高电压，以及基于所述高电压产生第二高电压，并且所述第一高电压和所述第二高电压用于所述非易失性存储器件的操作。
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