[发明专利]一种新型膜片结构的交流高电压传感器及测量方法

摘要

本发明涉及交流高压在线监测和零值绝缘子电压测量技术领域，尤其涉及一种新型膜片结构的交流高电压传感器及测量方法，包括高压电极、FP传感器电极、FP传感单元、微调器、底座、光纤和玻璃套管。高压电极与FP传感器电极上下同轴设置，且两者之间保持一定间距，FP传感器电极上开设有轴心阶梯孔，微调器安装在轴心阶梯孔的下部，FP传感单元粘结在微调器端面中心处，光纤依次穿过底座和微调器的中心通孔进入FP传感器，本发明提出一种采用MEMS技术加工的蛇形结构的光纤法‑珀高压交流电压测量方法，为交流高压在线监测和零值绝缘子电压测量等提供新的检测技术，在高压交流电压测量中灵敏度更高。

主权项

1.一种新型膜片结构的交流高电压传感器，其特征在于，包括高压电极(1)、FP传感器电极(2)、FP传感单元(3)、微调器(4)、底座(5)、光纤(6)和玻璃套管(7)；所述高压电极(1)与FP传感器电极(2)上下同轴设置，且两者之间保持一定间距，所述FP传感器电极(2)安装在底座(5)上，所述底座(5)与高压电极(1)之间安装有玻璃套管(7)，所述FP传感器电极(2)上开设有轴心阶梯孔，所述微调器(4)安装在轴心阶梯孔的下部，FP传感单元(3)粘结在微调器(4)端面中心处，FP传感单元(3)位于轴心阶梯孔的上部；所述FP传感单元(3)包括硅片(9)、硅片基座(10)和光纤(6)，所述硅片基座(10)内部具有中空的法珀腔(8)，其上表面中心处设置有硅片(9)，所述光纤(6)依次穿过底座(5)和微调器(4)的中心通孔进入硅片基座(10)的法珀腔(8)；所述FP传感单元(3)为正方形结构，利用MEMS技术加工的蛇形梁的硅片(9)和硅片基座(10)经键合制得，其主体正方形边长d为2.44‑6.1mm，厚度e为500μm；所述硅片(9)主体是正方形结构，四周具有蛇形结构的外沿(11)，所述硅片(9)主体正方形边长a为0.5‑2mm，所述蛇形结构外沿(11)固端梁的宽度b为10‑100μm，梁间缝隙c宽度为5‑30μm，所述硅片(9)整体边长l为1‑2.5mm，硅片(9)厚度h为10‑100μm。