[发明专利]一种LED芯片电极结构及其制作方法在审
申请号: | 201710228830.3 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN106981551A | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 何苗;丛海云;郑树文;黄波 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人: | 胡辉,郑泽萍 |
地址: | 510006 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种LED芯片电极结构及其制作方法,所述LED芯片包括P电极和N电极,所述LED芯片电极结构包括所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极,所述P电极包括设置在LED芯片正中间的工字组合电极。本发明使得LED芯片使电流分布更加均匀,不会出现局部过热情况,使LED芯片可以通过更大的电流,增加LED芯片的功率,也增加了LED芯片的使用寿命,可广泛应用于LED行业中。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 电极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种LED芯片电极结构,所述LED芯片包括P电极和N电极,其特征在于,所述N电极包括围绕在LED芯片四周边缘的口字形电极以及从口字形电极两相对电极边的中间对称地向内延伸的T形电极,所述P电极包括设置在LED芯片正中间的工字组合电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学,未经华南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710228830.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电子产品外壳及其处理工艺
- 下一篇:一种五层瓦楞纸生产工艺