[发明专利]一种制备电子级三氯氢硅的方法在审
| 申请号： | 201710226792.8 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107055549A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘见华;赵雄;万烨;姜丽霞;郭树虎;杨永亮;严大洲;杜俊平;张升学 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 赵囡囡,金田蕴 |
| 地址： | 471023 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备电子级三氯氢硅的方法。其中，该方法包括以下步骤S1，将芳香醛或芳香醛的衍生物与原料三氯氢硅进行反应，得到的反应产物；S2，将反应产物先脱除部分重组分，再脱除轻组分和剩余的重组分得到提纯产品；S3，将提纯产品送入吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到电子级三氯氢硅。应用本发明的技术方案，本工艺极大地的缩短流程，降低了设备投资和运行能耗，产品品质达到电子级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电子 级三氯氢硅 方法 | ||
【主权项】：
一种制备电子级三氯氢硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将芳香醛或芳香醛的衍生物与原料三氯氢硅进行反应，得到的反应产物；S2，将所述反应产物先脱除部分重组分，再脱除轻组分和剩余的重组分得到提纯产品；S3，将所述提纯产品送入吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到所述电子级三氯氢硅。
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