[发明专利]氮化物半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体元件及其制作方法，采用物理蚀刻形成图形化蓝宝石衬底，然后在蓝宝石衬底的表面上采用物理气相沉积的方式形成Al_xGa_(1‑x)N层，在生长物理气相沉积Al_xGa_(1‑x)N层过程中采用等离子体进行多次刻蚀处理，有效的抑制了图形侧壁处外延材料的晶体缺陷。

主权项

1.氮化物半导体元件，包括：蓝宝石图形衬底，采用物理刻蚀方法制作所得，其具有一系列的凹陷或凸起的图形，该图形具有侧壁；Al_xGa_(1‑x)N层，采用物理气相沉积法形成于图形衬底表面上；氮化镓基半导体叠层，采用MOCVD法形成于该Al_xGa_(1‑x)N层上；其特征在于：先采用等离子蚀刻所述蓝宝石图形衬底的表面，从而减少所述图形侧壁处的缺陷，再形成该Al_xGa_(1‑x)N层，和/或，所述Al_xGa_(1‑x)N层在形成过程中一次或多次采用等离子体蚀刻以消除图形侧壁的晶体缺陷；所述Al_xGa_(1‑x)N层位于所述蓝宝石图形衬底之侧壁的晶体缺陷的尺寸小于20nm。