[发明专利]一种针对3D光学玻璃、蓝宝石半导体的高精清洗工艺

摘要

本发明公开了一种针对3D光学玻璃、蓝宝石半导体的高精清洗工艺，包括步骤真空超声波皂化清洗、真空碳氢切水、真空超声波碳氢清洗、蒸汽浴洗与真空干燥、等离子清洗，其中，碳氢清洗剂均为CnH2n+2饱和链烃类清洗剂，真空超声波皂化清洗、真空碳氢切水、真空超声波碳氢清洗、蒸汽浴洗与真空干燥步骤均重复两次。本发明采用无污染的碳氢清洗剂对工作进行清洗，可以避免对环境的影响，而通过各个工艺步骤真空超声波皂化清洗‑真空碳氢切水‑真空超声波碳氢清洗‑蒸汽浴洗与真空干燥‑等离子清洗的配合，以及各个工艺步骤中参数的设定，从而将不良率控制在2％以内，提高良品率，保持清洗品质稳定，同时该工序简单，无污染，成本低。

主权项

一种针对3D光学玻璃、蓝宝石半导体的高精清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：真空超声波皂化清洗：将工件置于温度为30～50℃的碳氢清洗剂中，同时将频率为28KHz、大小为50～100％的超声波接入碳氢清洗剂中，交替地进行真空清洗和入气清洗，真空清洗的条件为真空度‑65Kpa，清洗时间3～10s，入气清洗条件为标准大气压下清洗时间为5～20s,真空清洗和入气清洗的总时间为180～420s；真空碳氢切水：在真空度为‑75Kpa的真空条件下，将工件置于温度为30～50℃的碳氢清洗剂中进行抛动清洗，工件于碳氢清洗剂中抛动180～420s；真空超声波碳氢清洗：将工件置于温度为45～50℃的碳氢清洗剂中，同时将频率为40KHz、大小为50～100％超声波接入碳氢清洗剂中，交替地进行真空清洗和入气清洗，清洗过程中伴随着工件的抛动，真空清洗的条件为真空度‑65Kpa，清洗时间3s，入气清洗条件为标准大气压下清洗时间为10s,真空清洗和入气清洗的总时间为180～420s；蒸汽浴洗与真空干燥：在真空度为‑90Kpa的条件下，先将工件置于温度为90～110℃的碳氢清洗剂所形成的蒸汽中进行真空浴洗1～5次，每次清洗时间为15～30s，完成蒸汽浴洗后，调整真空度为‑100Kpa，并在温度为90～110℃条件下干燥180～420s；等离子清洗，将工件置于真空度为0.5～4Pa的密闭空间内，在射频电源的作用下按100～400ml/min速率通入无机气体形成等离子体清洗，清洗时间为180～360s。其中，碳氢清洗剂均为CnH2n+2饱和链烃类清洗剂，真空超声波皂化清洗、真空碳氢切水、真空超声波碳氢清洗、蒸汽浴洗与真空干燥步骤均重复两次。