[发明专利]用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件有效
| 申请号： | 201710203509.X | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107867671B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | R·索玛彻尼;P·佩特鲁扎 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B5/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 黑色 表面 微电子 器件 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于形成黑硅表面的工艺，所述工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对所述聚合物层和所述硅体的所述区域进行等离子体蚀刻，并且以非均匀方式去除所述硅体的所述区域的表面部分。
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