[发明专利]温度增益均衡器在审
| 申请号： | 201710196502.X | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107147369A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨漫菲;王磊;马凯文;陈庆;方堃 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03G5/16 | 分类号： | H03G5/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的温度增益均衡器。该均衡器包括了一个电压变换模块和一个衰减模块。所述温度增益均衡器使用NMOS晶体管替代原衰减网络的电阻，利用电压变换模块产生不同的栅极电压控制晶体管。单个均衡器在‑55℃～125℃工作温度下可均衡增益3dB。均衡器驻波良好，面积极小，可在不影响原系统布局的前提下，对系统进行增益均衡。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 增益 均衡器 | ||
【主权项】：
温度增益均衡器，所述均衡器包括衰减模块(101)和电压转换模块(201)。在电路工作时，通过电压转换模块的栅极控制电压随温度变换，改变衰减模块的衰减量。该均衡器在‑55℃～125℃温度变化范围内可均衡增益3dB，降低了器件的温度不良特性对系统增益的影响。
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