[发明专利]一种位错对铁电材料畴结构影响机理的分析方法和系统有效
| 申请号： | 201710193785.2 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107025339B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋丽梅;徐肖飞;明浩;廖敏;杨琼;彭强祥;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种位错对铁电材料畴结构影响机理的分析方法和系统，该方法包括：步骤S1，建立包含压电效应的第一压电效应计算模型；步骤S2，基于位错在铁电材料中引起的应力应变场和第一压电效应计算模型，建立包含位错的第二压电效应计算模型；步骤S3，基于包含位错的第二压电效应计算模型和挠曲电效应能量密度方程，建立挠曲电效应计算模型；步骤S4，基于包含位错的第二压电效应计算模型和挠曲电效应计算模型，生成极化矢量图和/或极化云图。本发明实施例与传统的仅考虑压电效应的位错相场模型相比，考虑了挠曲电效应，获得了与实验结果更吻合的模拟结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 结构 影响 机理 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种位错对铁电材料畴结构影响机理的分析方法，所述方法包括：/n步骤S1，建立包含压电效应的第一压电效应计算模型；/n步骤S2，基于位错在铁电材料中引起的应力场、应变场和第一压电效应计算模型，建立包含位错的第二压电效应计算模型；/n步骤S3，基于包含位错的所述第二压电效应计算模型和挠曲电效应能量密度方程，建立挠曲电效应计算模型；/n步骤S4，基于包含位错的所述第二压电效应计算模型和所述挠曲电效应计算模型，生成极化矢量图和/或极化云图。/n
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