[发明专利]使用发色团和曝光除去聚合物在审
| 申请号： | 201710188505.9 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107393807A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 伊安·J·布朗 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用发色团和曝光除去聚合物。一种用于处理基底的方法，其包括接收在基底的表面上具有氟化聚合物残余物的基底。处理氟化聚合物残余物以提供对电磁(EM)辐射暴露敏感度增加的经处理的氟化聚合物残余物。将经处理的氟化聚合物残余物在含氧环境中进行EM辐射处理以促进从所述基底除去氟化聚合物残余物的清洁工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 发色团 曝光 除去 聚合物 | ||
【主权项】：
一种用于加工基底的方法，所述方法包括：接收在基底的表面上具有氟化聚合物残余物的所述基底；处理所述氟化聚合物残余物以提供对电磁(EM)辐射暴露具有增加的敏感度的经处理的氟化聚合物残余物；以及将所述经处理的氟化聚合物残余物在含氧环境中暴露于EM辐射以促进用于从所述基底除去所述氟化聚合物残余物的清洁工艺。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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