[发明专利]无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法，透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上，P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极，N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过过孔电极导至电池的背面，背面正极细栅线穿透第一背面钝化膜和第二背面钝化膜与P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。本方法避免了电池正极的光遮挡，增加了功率输出，减少了电池制作过程中银浆的耗量，降低了生产成本。

主权项

1.一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜(1)、减反射膜(2)、正面钝化膜(3)、N型层(5)、P型基体(6)、背面钝化膜(7)、背面正极细栅线(8)和背面正极主栅线(9)，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极(10)，所述N型层(5)的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区(4)，所述局部重掺杂N+区(4)阵列排布在所述N型层(5)上，所述局部重掺杂N+区(4)的方阻为20～60Ω/□，所述局部重掺杂N+区(4)的阵列图形为类一维图形、二维图形或类一维图形与二维图形的组合，所述类一维图形为线段、弧线或栅线状；所述类一维图形的线宽为20～200um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～2mm；所述二维图形为椭圆形、纺锤形、环形、多边形或扇形，所述二维图形的尺寸均为20～200um，相邻两个图形中心距为0.5～2mm；所述透明导电膜(1)穿透所述减反射膜(2)和正面钝化膜(3)与所述局部重掺杂N+区(4)及过孔电极(10)的顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜(1)用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极(10)导至电池的背面，所述背面钝化膜(7)包括第一背面钝化膜(7‑1)和第二背面钝化膜(7‑2)，所述背面正极细栅线(8)穿透所述第一背面钝化膜(7‑1)和第二背面钝化膜(7‑2)与所述P型基体(6)形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线(9)连接在一起构成电池正极。