[发明专利]具有浪涌电压自抑和自过压保护的碳化硅UMOSFET器件元胞结构在审
| 申请号： | 201710177593.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784011A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;徐妙玲;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有浪涌电压自抑和自过压保护的碳化硅UMOSFET器件元胞结构，该元胞结构的p‑well区分为三层，最上层位于U型槽的左右两侧，且与U型槽接触；中间层和最下层均由分别设置在元胞结构左右两侧的两部分构成，且二者的左右两部分均不接触；中间层的左右两部分与元胞结构竖向中轴向之间的距离大于最下层的左右两部分与元胞结构竖向中轴向之间的距离；即在元胞结构的漏极电流通路上引入一JFET结构。本申请通过在漏极电流通路上特意引入的JFET结构，自动调节器件导通电阻和自锁保护效应的同时还能够保持较小器件元胞尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浪涌 电压 保护 碳化硅 umosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
具有浪涌电压自抑和自过压保护的碳化硅UMOSFET器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的p‑well区分为三层，其中，最上层位于U型槽的左右两侧，且与U型槽接触；中间层和最下层均由分别设置在元胞结构左右两侧的两部分构成，且二者的左右两部分均不接触；中间层的左右两部分与元胞结构竖向中轴向之间的距离大于最下层的左右两部分与元胞结构竖向中轴向之间的距离；即在元胞结构的漏极电流通路上引入一JFET结构。
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