[发明专利]一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710171406.X | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106981560A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 马锡英;孟淼飞;施伟林 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法。在清洗后的n‑Si (111)片衬底上，采用化学气相沉积方法，以Er(NO3)3作为Er掺杂剂对MoS2进行掺杂，按质量比，MoS2Er(NO3)3为 51～11，得到一种铒掺杂的硫化钼薄膜。稀土元素具有良好的发光特性，本发明提供的铒掺杂的硫化钼薄膜，以稀土元素铒作为激活中心，掺杂多层硫化钼薄膜，在MoS2薄膜中作为激活元素起到发光中心的作用，激活硫化钼薄膜的发光，提高MoS2薄膜的光吸收和辐射发光的几率，有效提高了硫化钼薄膜发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硫化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铒掺杂的硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于采用化学气相沉积方法，以Er(NO3)3作为Er掺杂剂对MoS2进行掺杂；包括如下步骤：（1）衬底清洗：以n‑Si (111)片为衬底，用稀HF酸浸泡去除Si表面的二氧化硅，再依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗，去除硅片上的有机物，用氮气吹干，放入石英管进行沉积处理；石英管的真空度为10‑2 Pa, 加热到300℃，去除硅片表面的水汽；（2）稀土铒掺杂的MoS2薄膜制备：将石英管加热到500～600℃，以氩气作为携载气体，在以稀硫酸为溶剂的MoS2溶液中加入Er(NO3)3溶液，按质量比，MoS2 ：Er(NO3)3为 5:1～1:1，气携载MoS2和Er(NO3)3 进入石英管在n‑Si (111)片进行吸附、成核和生长处理5～10分钟，再将石英管升温到700～950℃进行退火处理，退火时间为10～40分钟，得到铒掺杂的MoS2薄膜。
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