[发明专利]STT－MRAM存储单元

摘要

本发明提供一种STT‑MRAM存储单元，包括选择晶体管、铁磁金属自由层和铁磁金属固定层，所述选择晶体管包括衬底、埋氧层、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区在所述埋氧层上，所述铁磁金属自由层设置在所述第一掺杂区上，所述铁磁金属固定层设置在所述第二掺杂区上。在本发明提供的STT‑MRAM存储单元中，结合SOI(Sillicon‑On‑Insulator)工艺，将第一掺杂区和第二掺杂区设置在埋氧层上，通过埋氧层实现元器件的介质隔离，由写入电流控制铁磁金属自由层的磁矩方向来实现读写操作，当电子通过选择晶体管的沟道区时，埋氧层可减小选择晶体管产生的漏电流，同时可以减小选择晶体管的寄生电容，在实现减小自旋电流的损耗的同时减小器件产生的延迟。

主权项

1.一种STT‑MRAM存储单元，其特征在于，所述STT‑MRAM存储单元包括：选择晶体管，所述选择晶体管包括衬底、埋氧层、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述埋氧层设置在所述衬底中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区在所述埋氧层上；铁磁金属自由层，所述铁磁金属自由层设置在所述第一掺杂区上，所述铁磁金属自由层的磁矩方向可改变；铁磁金属固定层，所述铁磁金属固定层设置在所述第二掺杂区上，所述铁磁金属固定层的磁矩方向固定不变。