[发明专利]一种微透镜阵列制作的工艺方法有效
| 申请号： | 201710163195.5 | 申请日： | 2017-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN106707381B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 邓军;冯献飞;牟桐;李超慧 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微透镜阵列制作的工艺方法，本工艺方法是制备微透镜阵列的一种工艺技术，具体涉及制作微透镜时用PMMA代替厚光刻胶并且通过薄金属层实现图形的无损转移的工艺方法，属于半导体光电器件微细加工技术领域。利用PMMA和薄金属层结构代替传统的厚光刻胶，采用工艺重复性更好的干法刻蚀技术，代替厚光刻胶的曝光显影工艺实现微透镜表面结构，工艺具有更好的一致性和重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透镜 阵列 制作 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微透镜阵列的制作方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)清洗基片，去除基片表面吸附的灰尘和油脂；(2)烘干基片，去除基片上部引入的水分和易挥发物质；(3)利用甩胶机在基片上旋涂PMMA，然后得到均匀的PMMA膜；(4)将加热台的加热时间调到60s，温度调到100℃，把基片放到加热台上进行前烘5分钟；(5)在PMMA膜上溅射一层100nm薄金层；(6)在薄金层上再旋涂一层薄光刻胶；(7)将加热台的加热时间调到60s，温度调到100℃，把基片放到加热台上进行前烘5分钟；(8)进行曝光、显影得到预设的图形；(9)将加热台的加热时间调到60s，温度调到100℃，把基片放到加热台上进行前烘5分钟；(10)腐蚀掉裸露出的薄金层；(11)利用刻蚀工艺去除保护薄金层的光刻胶和裸露出的PMMA膜；(12)腐蚀掉剩余的薄金层；(13)热熔PMMA膜，通过控制热熔的温度和时间得到微透镜表面结构。
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