[发明专利]一种TF卡片内Flash的纠错方法有效

专利信息
申请号: 201710160668.6 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN106951342B 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 雷燕婕 申请(专利权)人: 数据通信科学技术研究所;兴唐通信科技有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 王一;龚颐雯
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种TF卡片内Flash的纠错方法,采用握手超时机制区分下载应用程序和启动应用程序,若在预设时间内接收到正确的握手信号,则接收上位机的应用程序,并写入片内Flash的应用程序区和片外Flash的应用程序备份区,计算应用程序数据的CRC校验值作为标准校验值写入片外Flash的应用程序校验码区;从片外Flash的应用程序校验码区读取全部的标准校验值至RAM中,对片内Flash中的应用程序空间存储的有效数据求取CRC校验值,如果求取的CRC校验值与标准校验值存在偏差,则从片外Flash的应用程序备份区读取备份数据,并将备份数据写入到片内Flash中覆盖原始数据,启动应用程序。本发明的错误检出率高,纠错能力强,大大提高了片内Flash的可靠性和启动性能,降低了功耗。
搜索关键词: 一种 tf 卡片 flash 纠错 方法
【主权项】:
1.一种TF卡片内Flash的纠错方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:TF卡上电后,进行软硬件初始化;步骤S2:等待上位机的握手信号,若在预设时间内接收到正确的握手信号,执行步骤S3;若等待握手信号超时,执行步骤S4;步骤S3:下载应用程序;步骤S4:对应用程序进行检错和纠错,启动应用程序;所述步骤S4包括以下步骤:步骤S401:从片外Flash的应用程序校验码区读取全部的标准校验值至RAM中;步骤S402:对片内Flash中的应用程序空间存储的有效数据求取CRC校验值;步骤S403:如果求取的CRC校验值与从片外Flash读取至RAM中的标准校验值存在偏差,则对应用程序进行纠错;步骤S404:纠错完成后,关闭片外Flash的时钟和电源,跳转到应用程序的起始地址启动应用程序。
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