[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。在退火处理过程中，铝层与非晶态氧化半导体层中的氧离子结合形成Al2O3层，非晶态氧化半导体层失去氧离子导致氧缺陷增加而形成半导体层的掺杂区域，即形成源极接触区和漏极接触区，同时非晶态氧化半导体层被防氧化层遮挡形成半导体层的沟道区。本发明能够简化制造工艺，提高生产效率，降低生产成本。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基材上依次形成预定图案的铝层和防氧化层，其中所述衬底基材上划分有沿平行于衬底基材方向依次相邻排布的第一区域、第二区域和第三区域，所述铝层形成于所述第一区域、第二区域和第三区域，所述防氧化层形成于所述第二区域；在所述防氧化层上形成覆盖所述铝层的非晶态氧化半导体层；对所述非晶态氧化半导体层进行退火处理，以在所述退火处理过程中，使得铝层在所述第一区域和第三区域发生氧化反应形成Al2O3(三氧化二铝)，且非晶态氧化半导体层在所述第一区域和第三区域发生结晶反应形成源极接触区和漏极接触区、在所述第二区域被防氧化层遮挡形成沟道区；在经过退火处理的非晶态氧化半导体层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极图案，所述栅极图案位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间且对应位于所述沟道区的上方；在所述栅极图案上形成介质隔离层；在所述介质隔离层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案与所述源极接触区连接，所述漏极图案与所述漏极接触区连接。