[发明专利]一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710156417.0 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106898643B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 安霞;张冰馨;胡向阳;黎明;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/161;H01L29/78;H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结构；同时，利用锗聚集技术，使锗向Fin条顶部和底部扩散，提高沟道中锗组分，进而提高载流子迁移率，从而提高驱动电流。另外，双纳米线结构可以在提高驱动电流的同时节省芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 沟道 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管，包括半导体衬底和半导体衬底上悬空的双纳米线，其特征在于，该双纳米线为锗硅材料，纳米线的中部为沟道，沟道被栅介质层和栅电极围绕形成围栅结构，沟道长度小于纳米线长度；源、漏位于沟道两端；纳米线两端的半导体材料与衬底之间有一层氧化硅绝缘层。
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