[发明专利]一种大面积的三维复合纳米结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710156275.8 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108622848B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 任斌;刘博文;刘守;姚旭;王磊 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法，包括如下步骤：1、提供衬底；2、在衬底表面沉积第一金属层；3、将负性光刻胶均匀地旋涂在金属表面；4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光，并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列；5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本发明的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比，拥有更大的比表面积，同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点，可以耦合产生更多奇特的光电子学性质；且制备工艺简单、重现性好，并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 三维 复合 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积的三维复合纳米结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)提供衬底；(2)于所述衬底上进行第一次金属沉积，形成第一金属层；(3)于所述第一金属层表面形成光刻胶层；(4)通过全息光刻工艺，对所述光刻胶层曝光、显影、定影后形成均匀有序的纳米柱阵列，所述纳米柱阵列的周期为0.25‑1μm；(5)以所述纳米柱阵列为掩膜，采用电子束真空沉积的方法进行各向异性的第二次金属沉积，且第二次沉积的金属层厚度小于所述光刻胶层的厚度，从而制得所述三维复合纳米结构。
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