[发明专利]一种大面积的三维复合纳米结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710156275.8 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN108622848B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 任斌;刘博文;刘守;姚旭;王磊 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B1/00;G03F7/00
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;陈淑娴
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法,包括如下步骤:1、提供衬底;2、在衬底表面沉积第一金属层;3、将负性光刻胶均匀地旋涂在金属表面;4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光,并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列;5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本发明的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比,拥有更大的比表面积,同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点,可以耦合产生更多奇特的光电子学性质;且制备工艺简单、重现性好,并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。
搜索关键词: 一种 大面积 三维 复合 纳米 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种大面积的三维复合纳米结构的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)提供衬底;(2)于所述衬底上进行第一次金属沉积,形成第一金属层;(3)于所述第一金属层表面形成光刻胶层;(4)通过全息光刻工艺,对所述光刻胶层曝光、显影、定影后形成均匀有序的纳米柱阵列,所述纳米柱阵列的周期为0.25‑1μm;(5)以所述纳米柱阵列为掩膜,采用电子束真空沉积的方法进行各向异性的第二次金属沉积,且第二次沉积的金属层厚度小于所述光刻胶层的厚度,从而制得所述三维复合纳米结构。
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