[发明专利]一种石墨烯气体传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201710150716.3 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN107024517A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 孙秋娟;周义欣;王浩敏 | 申请（专利权）人： | 上海新克信息技术咨询有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 201703 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯气体传感器及其制备方法，其中，所述石墨烯气体传感器的制备方法至少包括提供一衬底；于所述衬底的上表面形成氧化层；于所述氧化层的上表面形成覆盖部分氧化层的金属图形结构；去除未被所述金属图形结构覆盖的另一部分氧化层，以形成暴露部分衬底的开口；于所述金属图形结构的上表面和侧壁以及所述开口的侧壁和底部形成石墨烯层；其中，所述石墨烯层与被所述开口暴露的部分衬底接触，以实现肖特基势垒。本发明结合现有图形化技术工艺，巧妙地解决了工艺过程中对石墨烯薄膜材料的污染和破坏；本发明所得的石墨烯气体传感器不仅灵敏度和稳定性有了较大的提高，而且降低了成本，并利于实现该类器件的批量生产和制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯气体传感器的制备方法，其特征在于，所述石墨烯气体传感器的制备方法至少包括：提供一衬底；于所述衬底的上表面形成氧化层；于所述氧化层的上表面形成覆盖部分氧化层的金属图形结构；去除未被所述金属图形结构覆盖的另一部分氧化层，以形成暴露部分衬底的开口；于所述金属图形结构的上表面和侧壁以及所述开口的侧壁和底部形成石墨烯层；其中，所述石墨烯层与被所述开口暴露的部分衬底接触，以实现肖特基势垒。
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