[发明专利]一种高比容量硅碳电极涂层制备方法在审

专利信息
申请号: 201710147691.1 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN108511740A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 石先兴;王慧敏;严红 申请(专利权)人: 万向一二三股份公司;万向集团公司
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/587;H01M4/36;H01M4/62;H01M4/1393;H01M4/1395
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 311215 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种高比容量硅碳电极涂层制备方法,所述制备方法为:先制备硅碳负极极片,然后配置涂层液,将配置好的涂层液涂覆在制备好的硅碳负极极片表面,烘烤后得到高比容量硅碳电极;所述涂层液是由PVA、水与导电剂配制而成,PVA与水的质量比为PVA:H2O=1:19,PVA与导电剂的质量比为:99:1。本发明所提出针对硅碳负极展开极片聚合物(PVA)涂层技术,利用PVA材料具有合适的弹性模量及较强的粘结性能,可实现硅基负极材料在锂离子嵌入脱出过程中伴随体积形变幅度较大时仍然保持材料结构完整,硅颗粒之间持续良好电子导电性,该方法可显著改善基于硅碳负极锂离子电池的循环稳定性。
搜索关键词: 硅碳 制备 比容量 负极 电极涂层 负极极片 导电剂 涂层液 质量比 弹性模量 电子导电性 循环稳定性 锂离子电池 材料结构 硅基负极 体积形变 涂层技术 涂层液涂 粘结性能 聚合物 硅颗粒 锂离子 电极 烘烤 脱出 极片 配置 嵌入 配制
【主权项】:
1.一种高比容量硅碳电极涂层制备方法,其特征在于,所述制备方法为:先制备硅碳负极极片,然后配置涂层液,将配置好的涂层液涂覆在制备好的硅碳负极极片表面,烘烤后得到高比容量硅碳电极;所述涂层液是由PVA、水与导电剂配制而成,PVA与水的质量比为PVA:H2O=1:19,PVA与导电剂的质量比为:99:1。
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