[发明专利]一种聚碳硅烷制备SiC基纳米复合陶瓷的方法及其应用在审
| 申请号： | 201710141751.9 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107056289A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 周涛;沈同德 | 申请（专利权）人： | 南通通州湾新材料科技有限公司;周涛 |
| 主分类号： | C04B35/486 | 分类号： | C04B35/486;C04B35/111;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 226333 江苏省南通市通州湾江海联*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚碳硅烷制备SiC基纳米复合陶瓷的方法及其应用。该方法是将纳米二氧化锆陶瓷粉末、纳米氧化铝粉末与聚碳硅烷真空密炼成型后将聚碳硅烷碳化后烧结得到SiC基纳米复合陶瓷。使用该工艺制备的SiC基纳米复合陶瓷解决了二氧化锆陶瓷与氧化铝陶瓷的抗弯强度高而断裂韧性不高的问题，并且该方法显著降低了SiC基体系陶瓷的烧结温度，对设备要求降低，制造成本下降，另外SiC陶瓷的密度较ZrO2密度低，使得整个结构件重量减轻，原材料成本也有所降低，使用本发明公开的复合陶瓷及制备方法可以制备手机外壳(背板)、卡托和手表外壳、轴承等结构件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 制备 sic 纳米 复合 陶瓷 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种聚碳硅烷制备SiC基纳米复合陶瓷的方法，其特征在于包括以下步骤：a)将重量百分比为60％～90％陶瓷粉末与重量百分比为10％～40％的聚碳硅烷在温度为200℃～250℃的真空环境下密炼4h～10h得到密炼料；b)将步骤a)的密炼料注塑成型得到坯体；c)将步骤b)得到坯体真空碳化；d)将经过步骤c)碳化的坯体烧结。
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