[发明专利]pn接合硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201710140934.9 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107180756B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 古贺祥泰 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [课题]提供不产生滑移和位错、能够抑制掺杂物的扩散、进而能够抑制pn接合间的漏电流的pn接合硅晶片的制造方法。[解决手段]本发明的pn接合硅晶片的制造方法的特征在于，具有下述步骤：第1步骤，对p型单晶硅基板10的单面和n型单晶硅基板20的单面进行在真空常温下照射离子束或中性原子束的活化处理，将前述两者的单面制成活化面后，接着在真空常温下使前述两者的活化面接触，由此使p型单晶硅基板10与n型单晶硅基板20一体化，从而得到pn接合硅晶片；以及，第2步骤，对前述pn接合硅晶片实施热处理，使因前述活化处理而在前述pn接合硅晶片的贴合界面附近处产生的变质层12、14重结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | pn 接合 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
pn接合硅晶片的制造方法，其特征在于，具有下述步骤：第1步骤，对p型单晶硅基板的单面和n型单晶硅基板的单面进行在真空常温下照射离子束或中性原子束的活化处理，将所述两者的单面制成活化面后，接着在真空常温下使所述两者的活化面接触，由此使所述p型单晶硅基板与所述n型单晶硅基板一体化，从而得到pn接合硅晶片；以及，第2步骤，对所述pn接合硅晶片实施热处理，使因所述活化处理而在所述pn接合硅晶片的贴合界面附近处产生的变质层重结晶化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710140934.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：BCD器件的制备方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
