[发明专利]材料组合物及其方法在审
| 申请号： | 201710140003.9 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107204281A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张书豪;陈建志;高国璋;陈政宏;贾丕业;陈启任;林英智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明实施例涉及材料组合物及其方法。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 组合 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成光刻胶层，其中，所述光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物，并且其中，所述极紫外吸收元件包括第一金属类型，所述桥接元件包括第二金属类型；对所述光刻胶层执行曝光工艺；以及在执行所述曝光工艺之后，显影曝光的所述光刻胶层以形成图案化的光刻胶层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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