[发明专利]一种应用于无线充电和NFC一体化的磁屏蔽片叠片结构在审
| 申请号： | 201710131353.9 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106887701A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐勇攀;赵安平;吴长和;李家洪;刘开煌;郭庆文 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于无线充电和NFC一体化的磁屏蔽片叠片结构，设置于NFC天线下方，所述磁屏蔽片叠片结构包括至少两层叠加的屏蔽片，且所述屏蔽片的磁导率由靠近NFC天线的一侧逐渐向远离NFC天线的一侧以8％～40％的比例增加。本发明提供的磁屏蔽片叠片结构，利用靠近NFC天线的部位采用低导磁率的屏蔽片，而远离线圈部位采用高导磁的屏蔽片，在满足使用所需的充电效率的条件下，有效降低了屏蔽片近NFC天线侧的敏感度，并且，采用这种不同磁导率屏蔽片的叠加方式，使得屏蔽片的性能可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 无线 充电 nfc 一体化 屏蔽 片叠片 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于无线充电和NFC一体化的磁屏蔽片叠片结构，设置于NFC天线下方，其特征在于，所述磁屏蔽片叠片结构包括至少两层叠加的屏蔽片，且所述屏蔽片的磁导率由靠近NFC天线的一侧逐渐向远离NFC天线的一侧以8％～40％的比例增加。
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