[发明专利]边缘曝光装置、晶圆结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710123063.X | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN108535963B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;张书庆;刘细桥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种边缘曝光装置、晶圆结构及其形成方法，其中边缘曝光装置包括：光源，用于产生照明光；与所述光源相连的光纤，用于传输所述照明光，以形成投射至晶圆边缘的光刻胶层进行曝光的入射光；调光单元，用于调节投射至所述光刻胶层上入射光的光强。利用本发明边缘曝光装置形成晶圆结构，能够根据光刻胶层的材料设定曝光光强，从而能够保证光刻胶对晶圆边缘区域上膜层的保护，有利于提高晶圆边缘的平整度；而且还可以改善光刻胶在边缘区域的堆积问题，有利于减少中心区域上缺陷的数量，有利于良率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 曝光 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种边缘曝光装置，用于对晶圆边缘的光刻胶层进行曝光，其特征在于，包括：光源，用于产生照明光；与所述光源相连的光纤，用于传输所述照明光，以形成投射至晶圆边缘光刻胶层的入射光；调光单元，用于调节所述入射光的光强。
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