[发明专利]PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法

摘要

本发明公开了PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中；(2)将硅片放入去离子水中进行漂洗；(3)将硅片放入KOH溶液中；(4)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中；(5)将硅片放入去离子水中进行漂洗；(6)将硅片放入HF溶液或者HCL溶液或者HF和HCL的混合溶液中；(7)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗完成后将硅片提出水面；(8)对硅片进行烘干。该清洗方法能够提升电池的光电转换效率。

主权项

1.PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，其特征在于：该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，该清洗方法包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99摄氏度，放置时间为30～300s；(2)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(3)将硅片放入KOH溶液中，KOH的质量分数为0.3％～18％，温度为60～99摄氏度，放置时间为30～300s；(4)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99摄氏度，放置时间为30～300s；(5)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(6)将硅片放入HF溶液或者HCL溶液或者HF和HCL的混合溶液中，温度为60～90摄氏度，放置时间为5～300s，其中，HF溶液中，HF的质量分数为0.2％～6％，HCL溶液中，HCL的质量分数为0.2％～5％，HF和HCL的混合溶液中，HF的质量分数为0.2％～6％，HCL的质量分数为0.2％～5％；(7)将硅片放入去离子水中进行漂洗，温度为60～99摄氏度，漂洗时间为30～300s，漂洗完成后将硅片提出水面；(8)对硅片进行烘干。