[发明专利]适用于DRAM/PRAM混合主存架构的页缓存方法及混合主存架构系统有效
申请号: | 201710122207.X | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN106909323B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 徐玉景;贾智平;鞠雷;蔡晓军;赵梦莹;张志勇 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | G06F12/0882 | 分类号: | G06F12/0882;G06F3/06 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 250061 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于DRAM/PRAM混合主存架构的页缓存方法及混合主存架构系统,其中,页缓存方法包括:混合主存系统接收页面操作请求,当页面操作请求是写页面请求时,将写页面请求的页面放入DRAM;当页面操作请求是读页面请求,将读页面请求的页面放入PRAM;混合主存系统根据页面的写密集型标志位来筛选出写密集型缓存页,并仅将写密集型缓存页从PRAM迁移至DRAM中进行缓存。本发明缓解了PRAM写操作引起的延迟,降低主存系统性能的损失;同时达到延长PRAM使用寿命的目的。 | ||
搜索关键词: | 适用于 dram pram 混合 主存 架构 缓存 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种适用于DRAM/PRAM混合主存架构的页缓存方法,其特征在于,包括:步骤1:混合主存系统接收页面操作请求,当页面操作请求是写页面请求时,将写页面请求的页面放入DRAM;当页面操作请求是读页面请求,将读页面请求的页面放入PRAM;步骤2:混合主存系统根据页面的写密集型标志位来筛选出写密集型缓存页,并仅将写密集型缓存页从PRAM迁移至DRAM中进行缓存。
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