[发明专利]g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法和应用在审
申请号: | 201710120583.5 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN106906508A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 刘世凯;郭丽萍;邓士炜;刘鑫鑫 | 申请(专利权)人: | 河南工业大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;B01J27/24;B01J21/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223 | 代理人: | 潘宏伟 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提供了一种g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法,属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为在含钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;对所制备的纳米管有序阵列进行晶化和表面氢化处理,得到H‑TiO2基纳米管阵列;对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与g‑C3N4复合,制备得到g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列。该有序纳米管阵列复合材料应用广泛,如可作为光电极来使用,通过充分发挥纳米管有序阵列的优势,在不明显改变其形貌结构的同时实现多元改性,显著拓展太阳光响应范围,明显提高其光电转换效率,为高性能光电极的设计、开发和应用提供支持。 | ||
搜索关键词: | c3n4 tio2 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:S1:在含钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;S2:对所制备的纳米管有序阵列进行晶化和表面氢化处理,得到H‑TiO2基纳米管阵列;S3:对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与g‑C3N4复合,制备得到g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列。
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