[发明专利]一种低压ZnO压敏电阻陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201710114199.4 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106747407A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 宋晓超;张天宇;何东;张天舒 | 申请（专利权）人： | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 张清彦 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低压ZnO压敏电阻陶瓷，是由下述重量份的原料制成ZnO 80～90份、Bi2O3 1～10份、MnO2 0.6～1.2份、BaCO3 0.1～0.8份、Sb2O3 0.7～1.1份、Co2O3 0.8～1.2份、SiO2 0.9～1.5份、Cr2O3 0.8～1.2份。本发明还公开了该低压ZnO压敏电阻陶瓷的制备方法，取BaCO3和部分ZnO制备籽晶，然后将各物料倒入搅拌球磨机球磨，制得黏稠糊状物，利用喷雾干燥技术喷射在合金衬底材料，煅烧，脱模后即得。本发明的压敏电阻综合性较为优良，其压敏电压降至10～12V/mm，残压比为1.190～1.20，其泄漏电流小于1μA/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 zno 压敏电阻 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低压ZnO压敏电阻陶瓷，其特征在于是由下述重量份的原料制成：ZnO 80～90份、Bi2O3 1～10份、MnO2 0.6～1.2份、BaCO3 0.1～0.8份、Sb2O3 0.7～1.1份、Co2O3 0.8～1.2份、SiO2 0.9～1.5份、Cr2O3 0.8～1.2份。
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