[发明专利]外延晶圆的制造方法及外延晶圆有效
| 申请号： | 201710113141.8 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511317B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 浅山英一;宝来正隆;村上浩纪;久保高行 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种能够发挥由结晶缺陷带来的吸杂能力且外延层表面的缺陷密度为10 |
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| 搜索关键词： | 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延晶圆的制造方法，所述外延晶圆能够发挥由结晶缺陷带来的吸杂能力且外延层表面的缺陷密度为102个/cm2以下，该外延晶圆的制造方法的特征在于，具备：单晶硅生长工序，通过切克劳斯基单晶提拉法生长掺杂有1011atoms/cm3～4.5×1015atoms/cm3的氮的单晶硅；单晶硅切取工序，从所述单晶硅切取硅晶圆；及外延层形成工序，以上述硅晶圆为基板，通过气相生长在所述基板上形成单晶硅层即外延层，在所述外延层形成工序中，所述外延层在1050℃至1200℃的范围内形成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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