[发明专利]基于CMOS工艺的多晶硅天线耦合的太赫兹波热探测器

摘要

本发明公开了一种基于CMOS工艺的多晶硅天线耦合的太赫兹波热探测器，包括硅衬底和设置于硅衬底上的带阻天线和温度传感器；硅衬底由多晶硅电阻；带阻天线为多晶硅环形天线、多晶硅十字结构天线和多晶硅偶极子天线；多晶硅偶极子天线的臂长H，宽度W，两臂之间的间隙gap和工作频率f，组成数组(H，W，gap，f)，取值范围为(H/40～H/4，H/40～H/6，f)；多晶硅十字结构天线的取值范围为(H/40～H/4，H/40～H/6，f)；多晶硅环形天线的半径R，宽度W和频率f组成数组(R，W，f)，取值范围为(H/40～H/4，f)。该太赫兹波热探测器利用天线接收电磁波，将电磁能量转化为热量，通过对热量的探测实现对高波段太赫兹波的探测。

主权项

一种基于CMOS工艺的多晶硅天线耦合的太赫兹波热探测器，包括硅衬底(101)、和设置于所述硅衬底(101)上的带阻天线(102)和温度传感器(103)；其特征在于：所述硅衬底(101)由多晶硅电阻，利用CMOS标准工艺制成；所述带阻天线(102)为多晶硅环形天线、多晶硅十字结构天线和多晶硅偶极子天线；所述多晶硅偶极子天线的臂长H，宽度W，两臂之间的间隙gap和工作频率f，组成数组(H，W，gap，f)，取值范围为所述多晶硅十字结构天线的臂长H，宽度W，相对两臂间隙gap和工作频率f可组成成数组(H，W，gap，f)，取值范围为所述多晶硅环形天线的半径R，宽度W和频率f组成数组(R，W，f)，取值范围为