[发明专利]一种基于电流反馈的CMOS仪表放大器

摘要

本发明公开了一种基于电流反馈的CMOS仪表放大器，包括：PMOS管M₁、PMOS管M₆、第一电流镜、第二电流镜、NMOS管M₂、NMOS管M₃、NMOS管M₄、NMOS管M₅、电容C_c1、电容C_c2、电阻R₁、电阻R₂、电流源I₁、电流源I₂、电流源I₃、电流源I₄、电流源I_C1和电流源I_C2；第一电流镜包括PMOS管M₇、PMOS管M₈，第二电流镜包括PMOS管M₉、PMOS管M₁₀；本发明不使用输入耦合电容，消除了其失配带来的影响，提高了放大器的共模抑制比；采用全差分结构，进一步提高了共模抑制比；电路支路较少，实现了低功耗。

主权项

1.一种基于电流反馈的CMOS仪表放大器，其特征在于，包括：PMOS管M₁(1.1)、PMOS管M₆(1.2)、第一电流镜(1.3)、第二电流镜(1.4)、NMOS管M₂、NMOS管M₃、NMOS管M₄、NMOS管M₅、电容C_c1(3.1)、电容C_c2(3.2)、电阻R₁(4.1)、电阻R₂(4.2)、电流源I₁(5.1)、电流源I₂(5.2)、电流源I₃(5.3)、电流源I₄(5.4)、电流源I_C1(5.5)和电流源I_C2(5.6)；所述第一电流镜(1.3)包括PMOS管M₇、PMOS管M₈，所述第二电流镜(1.4)包括PMOS管M₉、PMOS管M₁₀；输入信号V_i+和V_i‑分别与PMOS管M₁的栅极和PMOS管M₆的栅极相连；PMOS管M₇的源极、PMOS管M₈的源极、PMOS管M₉的源极、PMOS管M₁₀的源极共点，均连接电源VDD；PMOS管M₇的栅极、PMOS管M₈的栅极、PMOS管M₈的漏极、NMOS管M₄的漏极共点；PMOS管M₁₀的栅极、PMOS管M₉的栅极、PMOS管M₉的漏极、NMOS管M₃的漏极共点；电阻R₁的一端与PMOS管M₇的漏极相连，PMOS管M₇的漏极与PMOS管M₁的源极共点；电阻R₁的另一端与PMOS管M₁₀的漏极相连，PMOS管M₁₀的漏极与PMOS管M₆的源极共点；PMOS管M₁的漏极与NMOS管M₂的源极共点，并与电流源I₁的一端相连；电流源I₁的另一端连接地线VSS，其电流方向为由PMOS管M₁的漏极流向VSS；PMOS管M₆的漏极与NMOS管M₅的源极共点，并与电流源I₄的一端相连；电流源I₄的另一端连接地线VSS，其电流方向为由PMOS管M₆的漏极流向VSS；NMOS管M₂的栅极、NMOS管M₅的栅极与偏置电压输入端V_C相连；NMOS管M₂的漏极、电容C_c1的一端、NMOS管M₃的栅极共点，并与电流源I_C1的一端相连；电容C_c1的另一端连接地线VSS；电流源I_C1的另一端与电源VDD相连，其电流方向为由VDD流向NMOS管M₂的漏极；NMOS管M₅的漏极、电容C_c2的一端、NMOS管M₄的栅极共点，并与电流源I_C2的一端相连；电容C_c2的另一端连接地线VSS；电流源I_C2的另一端与电源VDD相连，其电流方向为由VDD流向NMOS管M₅的漏极；电阻R₂的一端、NMOS管M₃的源极、电流源I₂的一端共点；电阻R₂的另一端、NMOS管M₄的源极、电流源I₃的一端共点；电流源I₂的另一端连接地线VSS，其电流方向为由NMOS管M₃的源极流向VSS；电流源I₃的另一端连接地线VSS，其电流方向为由NMOS管M₄的源极流向VSS。