[发明专利]一种基于FPGA的NandFlash存储映射系统在审

专利信息
申请号: 201710103685.6 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN106909519A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 尹超;赵鑫鑫;李朋 申请(专利权)人: 济南浪潮高新科技投资发展有限公司
主分类号: G06F12/126 分类号: G06F12/126
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司37100 代理人: 姜明
地址: 250100 山东省济南市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种基于FPGA的Nand Flash存储映射系统,属于高速大容量存储领域,本发明主要包含FPGA内建RAM,初始化检测模块,主控制模块等。通过利用FPGA内部的RAM地址作为逻辑地址,RAM内部的内容为实际的BLOCK地址机制,简化了逻辑地址与实际物理地址的对应关系。本发明可以用于高速大容量存储中,简化系统的设计难度。
搜索关键词: 一种 基于 fpga nandflash 存储 映射 系统
【主权项】:
一种基于FPGA的Nand Flash存储映射系统,其特征在于,主要包含FPGA内建RAM模块,初始化检测模块,主控制模块;其中,RAM模块,存储Nand Flash可用的Plane0和Plane1 BLOCK地址以及用于替换工作过程中坏块的Plane0和Plane1备用块BLOCK地址;初始坏块检测模块,用于读取Nand Flash内部标明坏块的信息,判断是否坏块,并将非坏块根据BLOCK地址写入Plane0和Plane1的可用或者备用RAM中;主控制模块,当接收到命令时,用于查找RAM找到可用的BLOCK地址,并且当工作过程中出现错误时,读取备用块表的BLOCK地址对可用块表中的BLOCK地址进行替换。
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