[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710102089.6 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108010957A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周洛龙;郑永均;朴正熙;李钟锡;千大焕 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的示例性实施例的半导体器件包括：电流施加区；和布置在电流施加区的端部的端接区。所述端接区包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n‑型层；布置在n‑型层中的p型端接结构；和布置在p型端接结构上，以致与p型端接结构重叠的下栅极流道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：电流施加区；和布置在电流施加区的端部的端接区，其中所述端接区包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型层；布置在n-型层中的p型端接结构；和布置在p型端接结构上，以致与p型端接结构重叠的下栅极流道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社，未经现代自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710102089.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
