[发明专利]开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座有效

专利信息
申请号: 201710098764.2 申请日: 2017-02-23
公开(公告)号: CN106646201B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 庄翌圣;葛金发 申请(专利权)人: 苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R1/04
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 201100 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座,其中上盖的下表面上设置有至少一个保护支撑部件,保护支撑部件的下表面与上盖的下表面平行,高度H1减去散热器的高度H2用于等于待测芯片的高度H3,和散热器间隔设置且两者之间的空间用于容纳芯片固定座的侧壁,下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第一距离L1小于散热器的下表面的靠近上盖的一端的端部在上盖的下表面上的射影和上盖的一端之间的第二距离L2。本发明的开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座能够在开关动作时其散热器不与待测芯片产生直接接触,避免因插座构造造成待测芯片受损,保证测试结果的准确性和可信度,适于大规模推广应用。
搜索关键词: 开盖式晶圆级 封装 芯片 老化 测试 插座
【主权项】:
一种开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座,包括底座、芯片固定座、上盖和散热器,所述上盖的一端可转动连接所述底座的一端,所述芯片固定座设置在所述底座上,所述芯片固定座用于在其中放置待测芯片,所述散热器设置在所述上盖的下表面上并朝向所述芯片固定座,所述散热器的下表面与所述的上盖的下表面平行,其特征在于,所述开盖式晶圆级封装芯片老化测试插座还包括至少一个保护支撑部件,所述保护支撑部件设置在所述的上盖的下表面上,所述保护支撑部件的下表面与所述的上盖的下表面平行,所述保护支撑部件的高度H1减去所述散热器的高度H2用于等于所述待测芯片的高度H3,所述保护支撑部件和所述散热器间隔设置且所述保护支撑部件和所述散热器之间的空间用于容纳所述芯片固定座的侧壁,所述的保护支撑部件的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第一距离L1小于所述的散热器的下表面的靠近所述的上盖的一端的端部在所述的上盖的下表面上的射影和所述的上盖的一端之间的第二距离L2。
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