[发明专利]基于过渡金属氧化物的选择器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于过渡金属氧化物的选择器的制备方法及该方法制备的选择器。所述制备方法包括S1、在晶体管上形成钨栓塞；S2、以钨栓塞作为下电极，并在钨栓塞上制备过渡金属层；S3、氧化过渡金属层，使之转化为过渡金属氧化物层；S4、在过渡金属氧化物上沉积上电极，图形化上电极和过渡金属氧化物。本发明的选择器能够提供较高的电流密度，有很好的均一性，形成1S1R结构能有效抑制阻变存储器阵列中的串扰现象，在不增加存储单元面积的情况下有效提高存储密度，提高器件集成度。此外本发明用于阻变存储器的选择器具有结构简单、易集成、成本低、均一性好、CMOS工艺兼容等优点。

主权项

一种基于过渡金属氧化物的选择器的制备方法，包括如下步骤：S1、在晶体管上形成钨栓塞；S2、以钨栓塞作为下电极，并在钨栓塞上制备过渡金属层；S3、氧化过渡金属层，使之转化为过渡金属氧化物层；S4、在过渡金属氧化物上沉积上电极，图形化上电极和过渡金属氧化物。