[发明专利]一种选择性降解环丙沙星的分子印迹催化膜及制备方法

摘要

本发明提供了一种选择性降解环丙沙星的分子印迹催化膜及制备方法，步骤如下：步骤1、制备类石墨碳化氮g‑C₃N₄；步骤2、制备贵金属负载半导体复合材料；步骤3、制备选择性降解环丙沙星的分子印迹催化膜；本发明制备的材料可以有效地实现对混合污水体系中目标污染物的优先选择性吸附并降解的目的，后处理简单，便于光催化剂的多次回收利用，有效地避免二次污染，具有较强的选择性处理抗生素废水的优点。

主权项

1.一种选择性降解环丙沙星的分子印迹催化膜，其特征在于，所述分子印迹催化膜是由贵金属银和贵金属金负载在二维C₃N₄纳米片上形成的，所述分子印迹催化膜具有多孔形貌，厚度为2.0mm，对环丙沙星有特异性吸附位点，将0.3g所述分子印迹催化膜用于体积为70mL、浓度为20mg/L的环丙沙星溶液的降解时，降解率达到了92％；所述分子印迹催化膜的制备步骤如下：步骤1、制备类石墨碳化氮g‑C₃N₄；步骤2、制备贵金属负载半导体复合材料：称取硝酸银固体溶于氯金酸溶液中，得到混合液A；将混合液A滴加到聚乙烯醇溶液中，得到混合液B；将硼氢化钠溶液滴加到混合液B中，得到混合液C；称取步骤1的g‑C₃N₄加入到混合液C中，得到混合液D，磁力搅拌，随后用去离子水和无水乙醇洗涤固体产物，离心分离后干燥，最终得到贵金属负载半导体复合材料，记为Ag/Au/C₃N₄；步骤3、制备选择性降解环丙沙星的分子印迹催化膜：称取步骤2的Ag/Au/C₃N₄加入到溶剂氯仿中，超声分散得到Ag/Au/C₃N₄分散液；加入苯乙烯‑丙烯腈共聚物，壳聚糖和模板分子环丙沙星，搅拌混匀，35～45℃下机械搅拌，得到铸膜液，于35～45℃下保温静置；取一洁净的玻璃板，将铸膜液转移到一片玻璃基底上，在一定的相对湿度条件下惰性气体吹扫；等溶剂完全挥发后，室温干燥；最后，在索氏提取器中，用甲醇/醋酸的混合溶液洗涤分子印迹催化膜以除去模板分子，得到最终的选择性降解环丙沙星的分子印迹催化膜。