[发明专利]一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法。本发明方法的具体步骤如下：首先将六氯化钨、无水乙醇、四氢呋喃和聚乙二醇混合，之后转移到水热反应釜中，并向水热反应釜中放一块FTO导电玻璃，其导电面朝下，恒温水热反应一段时间，反应结束后，自然冷却至室温；取出反应釜中的FTO导电玻璃，用无水乙醇冲洗之后将所得薄膜放在马弗炉里一定温度下煅烧，即可得氧化钨电致变色薄膜。本发明制备的氧化钨薄膜材料形貌均匀，可应用于电致变色及其相关领域。

主权项

1.一种直接在导电玻璃上生长氧化钨薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：①将六氯化钨、无水乙醇、四氢呋喃和聚乙二醇混合得到反应前驱体 溶液；②将步骤①得到的反应前驱体溶液转移到水热反应釜中，并向水热反应釜中放入FTO导电玻璃，其导电面朝下，175℃~185℃的温度下进行水热反应，水热反应的时间为6 h～12 h，反应结束后，自然冷却至室温，取出反应釜中的FTO导电玻璃，冲洗、干燥得到水合氧化钨薄膜；最后将水合氧化钨薄膜在马弗炉中380~410℃煅烧，得到氧化钨薄膜；得到的氧化钨薄膜的表面微观结构为纳米线形成的纳米簇状或纳米片状；其中：步骤①中，反应前驱体 溶液中，六氯化钨和无水乙醇的摩尔体积比为1:1~1:2mol/L；无水乙醇、四氢呋喃与聚乙二醇的体积比为(20~30):(10~20):1。