[发明专利]一种DOPO衍生物改性有机硅阻尼添加剂及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201710083143.7 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106832299B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 张志杰;刘伯峥;高希银;赵云峰;戴丽娜;谢择民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08G77/395 | 分类号： | C08G77/395;C08L83/07;C08L83/04;C08L83/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种DOPO衍生物改性有机硅阻尼添加剂及其制备方法与应用。该阻尼添加剂的结构式如式Ⅰ所示；式Ⅰ中，R |
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| 搜索关键词： | 一种 dopo 衍生物 改性 有机硅 阻尼 添加剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
式Ⅰ所示聚合物，式Ⅰ中，R1、R2、R3、R4、R6、R7和R8各自独立地选自C2～C5的烯基、芳基、卤代芳基、氨基、C1～C5的烷基、C1～C5的氰烷基、C1～C5的卤代烷基和C1～C5的氨烷基；R5、R9和R10各自独立地选自C0～C5的亚烷基；R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17和R18各自独立地选自氢原子、芳基、卤代芳基、硝基、C1～C5的氰烷基、C1～C5的卤代烷基、羟基、卤素和C1～C5的烷基；m为0～200之内的任意整数，n为0～200之内的任意整数，q为0～200之内的任意整数，且不同时为0。
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