[发明专利]一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压倒装LED芯片结构及其制造方法，包括沉积有GaN外延层的生长衬底；离子注入形成多个隔离区，从而使所述GaN外延层形成多个相互独立的芯片单元，之后进行mesa台阶刻蚀、形成金属反射层；形成阻挡层；形成第一绝缘层；形成互连金属层；形成第二绝缘层；制作N、P电极焊盘等。本发明高压倒装LED芯片通过在GaN外延层中进行离子注入形成多个隔离区，可以大大降低因刻蚀造成的发光二极管发光面积的损失，并且利用离子注入形成的隔离区，可以使芯片之间的桥接可以更加平缓，更易于芯片之间的桥接；另外，芯片隔离区与其它区域高度差小，N、P电极焊盘之间不易导通，绝缘效果好，芯片封装时良率高，降低封装工艺难度，与封装支架的兼容性更强。

主权项

一种高压倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：1)提供表面沉积有GaN外延层的生长衬底，所述GaN外延层包括N型GaN层、生长在所述N型GaN层表面的多量子阱层以及生长在所述多量子阱层表面的P型GaN层；2)在所述GaN外延层中进行离子注入形成多个表面平坦的隔离区，从而使所述GaN外延层形成多个相互独立的芯片单元；3)刻蚀所述GaN外延层，形成暴露所述N型GaN层的开口；4)在所述P型GaN层表面形成金属反射层，在所述金属反射层上覆盖阻挡层；5)在所述步骤4)获得的结构表面覆盖第一绝缘层，在所述开口中第一绝缘层表面开孔，暴露出所述N型GaN层，同时在所述第一绝缘层表面开孔，形成暴露所述阻挡层的互连窗口，以引出所述P型GaN层的电性；6)在所述第一绝缘层表面、开口以及互连窗口中制备金属连接层，以使相邻芯片单元的P型GaN层与N型GaN层相连，形成串联结构；7)在所述第一绝缘层和金属连接层表面覆盖第二绝缘层，并且在芯片单元表面的第二绝缘层上分别形成N电极接触孔和P电极接触孔；8)在所述N电极接触孔中和第二绝缘层表面制备N电极焊盘，在所述P电极接触孔中和第二绝缘层表面制备P电极焊盘，所述N电极焊盘和P电极焊盘覆盖至少一个所述隔离区。