[发明专利]一种湿敏电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201710076264.9 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106680333A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张宾 | 申请（专利权）人： | 广州奥松电子有限公司;张宾 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人： | 李健富 |
| 地址： | 510470 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿敏电容及其制造方法，其中湿敏电容，包括芯片和壳体；所述芯片封装在壳体中；所述芯片包括：上电极、感湿膜、介质层、衬底和下电极；所述感湿膜为有机聚合物感湿膜；所述介质层沉积在衬底的表面；所述感湿膜附着在介质层的表面；所述上电极设置在感湿膜上；所述上电极设有通孔；所述下电极设置在衬底的下方；所述介质层为氮化硅或氧化硅介质层；所述衬底为单晶硅衬底；其制造方法包括：预处理衬底的步骤，和通过化学气相沉积的方法，在衬底的表面生长一层介质层的步骤，和通过自动匀胶机在介质层的表面铺设感湿膜的步骤；该湿敏电容功耗小，灵敏性强，且长期稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种湿敏电容，包括芯片和壳体；所述芯片封装在壳体中；所述芯片包括：上电极、感湿膜、介质层、衬底和下电极；其特征在于：所述感湿膜为有机聚合物感湿膜；所述介质层沉积在衬底的表面；所述感湿膜附着在介质层的表面；所述上电极设置在感湿膜上；所述上电极设有通孔；所述下电极设置在衬底的下方；所述介质层为氮化硅或氧化硅介质层；所述衬底为单晶硅衬底。
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