[发明专利]一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201710071078.6 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106952957B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 | 申请（专利权）人： | 香港商莫斯飞特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 中国香港新界沙田火炭坳背*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法，所述器件，包括，氮化镓衬底、氮化镓外延层，其中，沟槽底介质层下形成有N型区，正向导通时，电子从源极流经反形层、积累层、沟槽底所述N型区，然后垂直地经N型外延层至底部漏区金属电极。该方法包括，在氮化镓衬底上依次生长GaN外延层、P | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 氮化 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纵向型氮化镓基半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：/n1）在氮化镓衬底上依次生长GaN外延层、P
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港商莫斯飞特半导体有限公司，未经香港商莫斯飞特半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710071078.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低辐射彩晶玻璃
- 下一篇：一种防划伤的热致色变彩晶玻璃
- 同类专利
- 专利分类
