[发明专利]一种半导体封装测试设备零件的铝合金阳极氧化工艺

摘要

本发明涉及一种半导体封装测试设备零件的铝合金阳极氧化工艺，包括脱脂、第一次水洗、抛光处理、第二次水洗、除灰、第三水洗、草酸阳极氧化、第四水洗、超声波清洗、有机物浸泡、酒精清洗、纯水预热、纯水封孔、吹干等多道工序。本发明通过调整阳极氧化工艺，尤其通过增设一道有机物浸泡工序，可以有效提升氧化膜的封闭效果，提高产品表面氧化膜层的表面电阻，让产品阳极氧化之后的表面电阻有一个较大幅度的提升，从现有的0.5‑1.0*108欧姆的基础上提升到3.0‑8.0*109欧姆以上。

主权项

一种半导体封装测试设备零件的铝合金阳极氧化工艺，包括：S1、脱脂：将零件放入浓度为30g/L‑50g/L的脱脂剂中，温度55℃‑65℃，脱脂3min‑9min后取出；S2、第一次水洗：用水反复冲洗零件，冲洗10S～20S后取出；S3、抛光处理：将零件放入抛光液中进行抛光，温度90℃‑100℃，抛光30S‑60S后取出；S4、第二次水洗：用水反复冲洗零件，冲洗10S～20S后取出；S5、除灰：将零件放入浓度为140‑200ml/L的HNO3溶液中，室温下除灰20S～50S；S6、第三水洗：用水反复冲洗零件，冲洗10S～20S后取出；S7、草酸阳极氧化：以石墨板作为阴极，将零件放入浓度为40g/L‑50g/L草酸溶液的氧化槽内作为阳极，温度控制在16℃～20℃，接通电源，控制电流密度1.0A/dm2～1.5A/dm2，电压0‑70V，时间75‑85min，通过草酸氧化工序控制氧化膜膜层厚度在40～50um；S8、第四水洗：用水反复冲洗零件，冲洗10S～30S后取出；S9、超声波清洗：将零件置于超声清洗槽中，超声波频率40千HZ，超声波功率10KW，进行5‑10min的超声波清洗；S10、有机物浸泡：将零件放入浓度为40g/L‑60g/L的硬脂酸中，温度50℃‑55℃，浸泡25min‑35min；S11、酒精清洗：将零件放入浓度为75wt％的酒精溶液中，于35℃‑45℃清洗20～30S；S12、纯水预热：将零件放入温度为65‑75℃的去离子水中预热5‑10min；S13、纯水封孔：用去离子水作为封孔液，温度95℃‑100℃，对零件进行封孔处理150‑180min；S14、吹干：将零件表面积水吹干，即得。