[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域。本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括：晶硅基片、第一金属硫族化合物膜层、第二金属硫族化合物膜层、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层分别设置在晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间以及晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间。本发明通过在晶硅基片表面形成所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层可以提高硅基异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。

主权项

1.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层，所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。