[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710063718.9 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN108389860B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 冯立伟;王嫈乔;蔡综颖;陈凯评;何建廷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，包含基底、多个主动区、多个位线与多个虚置位线。基底包含有存储器区与周边区。多个主动区是定义在基底上，而多个位线则是彼此平行且分隔地设置在基底上，并位于存储器区内且横跨主动区。多个虚置位线设置在位线的一侧，虚置位线彼此连接且各虚置位线之间具有不同的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包含：基底，包含存储器区与周边区；多个主动区，定义在该基底上；多个位线，彼此平行且分隔地设置在该基底上，该些位线位于该存储器区内且横跨该些主动区；以及多个虚置位线，设置在该些位线的一侧，其中该些虚置位线彼此连接且其间具有不同的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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