[发明专利]晶体管激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710063242.9 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106785918B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法，属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，基层至少包括一基极层和一量子阱层；晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层，发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在晶体管激光器下部分上表面。本晶体管激光器在工作时，不需要通过光栅或者解理面提供反馈，利用自身柱状结构与柱状孔形成的闭合环形波导回路作为谐振腔，即可实现激光的谐振。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管激光器，其特征在于，所述晶体管激光器为多层结构，从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层，所述基层至少包括一基极层和一量子阱层；所述晶体管激光器包括上下两部分，其上部分为柱状结构，所述柱状结构和下部分的界线位于所述下集电极层中；所述柱状结构内设有柱状孔，所述柱状孔的底部为所述基层；发射极电极设置在柱状结构上表面，基极电极设置在所述柱状孔底部，集电极设置在所述晶体管激光器下部分上表面。
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