[发明专利]使目标材料层图案化的方法有效
| 申请号： | 201710062690.7 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107017155B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | P·拉加万;J·博迈尔斯 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆蔚;樊云飞 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明构思的一个方面，提供一种图案化目标材料层的方法。该方法包括：在所述目标材料层上形成第一特征件和第二特征件；在面对第二特征件的第一特征件的侧壁上形成第一间隔体，在面对第一特征件的第二特征件的侧壁上形成第二间隔体；在第一和第二特征件之间的目标材料层上形成第三特征件；去除第一和第二间隔体；在去除第一和第二间隔体后，在面对第二特征件的第三特征件的侧壁上形成第三间隔体，在面对第三特征件的第二特征件的侧壁上形成第四间隔体；在第二和第三特征件之间的目标材料层上形成第四特征件；并且采用第三和第四特征件，和，第一和第二特征件中的至少一个图案化所述目标材料层，作为掩模部分。 | ||
| 搜索关键词： | 目标 材料 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种使目标材料层图案化的方法，所述方法包括：在所述目标材料层上形成第一特征件和第二特征件；在面对第二特征件的第一特征件的至少一个侧壁上形成第一间隔体，和，在面对第一特征件的第二特征件的至少一个侧壁上形成第二间隔体；在第一和第二特征件之间的目标材料层上形成第三特征件；去除第一和第二间隔体；在去除第一和第二间隔体后，在面对第二特征件的第三特征件的至少一个侧壁上形成第三间隔体，和，在面对第三特征件的第二特征件的至少一个侧壁上形成第四间隔体；在第二和第三特征件之间的目标材料层上形成第四特征件；并且采用第三和第四特征件，和，第一和第二特征件中的至少一个，作为掩模部分，使所述目标材料层图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
