[发明专利]一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法有效
申请号: | 201710062648.5 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN106784165B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 陈文礼;杨水长;王宏臣;甘先锋;曲婷;孙传彬 | 申请(专利权)人: | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09;G01J5/20;G01J5/24;B81C1/00;B81B3/00 |
代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙)37234 | 代理人: | 刘志毅 |
地址: | 264000 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法,在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层,在金属反射层上沉积绝缘介质层;在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层,光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层,第一保护层上沉积第二牺牲层,并对第一牺牲层和第二牺牲层进行图形化处理,图形化处理后的第一牺牲层和第二牺牲层上形成锚点孔,所述锚点孔为直孔,沉积第二支撑层;在第二支撑层蚀刻通孔;在第二支撑层和第一保护层蚀刻接触孔;接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层和金属坞,在金属电极图形上沉积第二保护层,利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层,最后,进行结构释放。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 双层 制冷 红外 平面 探测器 像素 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构,包括一包含读出电路的半导体基座和一具有微桥支撑结构的探测器,所述探测器与所述半导体基座的读出电路形成电连接,其特征在于,所述探测器包括金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层和热敏层,所述金属反射层包括若干个金属块,所述支撑层包括第一支撑层和第二支撑层,所述保护层包括第一保护层和第二保护层;所述半导体基座的读出电路上依次设置有金属反射层和绝缘介质层;所述第一支撑层设置在所述绝缘介质层的上方,所述第一支撑层上方依次设置热敏层、第一保护层和第二支撑层;所述第一保护层和第二支撑层上设有接触孔,所述接触孔的下端终止于所述热敏层,所述接触孔内充满金属电极和金属坞,所述金属坞设置在所述金属电极的上方,所述金属电极与所述热敏层电连接;所述第二支撑层上设有锚点孔,所述锚点孔包括第一锚点孔和第三锚点孔,所述锚点孔为直孔,且底部设有通孔,所述通孔的下端终止于所述金属块,所述通孔和锚点孔内充满所述金属电极和金属坞,所述金属电极层和金属坞上设有第二保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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