[发明专利]半导体装置及制造方法

摘要

本揭露内容的方法包含提供一半导体基板，其具有第一和第二区域，分别地掺杂第一和第二掺杂物。第一和第二掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含磊晶成长第一半导体层，其掺杂第三掺杂物。第一和第三掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含在第一半导体层上沉积介电硬罩(HM)层；将介电硬罩层上图案化，以在第一区域上形成开口；朝半导体基板延伸此开口；在此开口中磊晶成长第二半导体层。第二半导体层掺杂第四掺杂物。第一和第四掺杂物为相同型态。此方法更进一步地包含移除介电硬罩层；以及执行第一化学机械平坦化制程，以将第一和第二半导体二者皆平坦化。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：提供一半导体基板，其中该半导体基板具有一第一区域和一第二区域，该第一区域和该第二区域分别掺杂第一掺杂物和第二掺杂物，且该第一掺杂物和第二掺杂物为相反型态；磊晶成长一第一半导体层，其位在该半导体基板上，且该第一半导体层掺杂一第三掺杂物，且该第一掺杂物和第三掺杂物为相反型态；沉积一介电硬罩层在该第一半导体层上；将该介电硬罩层图案化，以在该第一区域上形成一开口；朝该半导体基板延伸该开口；磊晶成长一第二半导体层在该开口中，其中该半导体层掺杂一第四掺杂物，该第一掺杂物和第四掺杂物为相同型态，而且该第二半导体层的一表面高于直接位在该第二区域上方的该第一半导体层的一上表面，且低于直接位在该第二区域上方的该第二区域上方的该介电硬罩层的一上表面；移除该介电硬罩层；以及执行一第一化学机械平坦化制程，以将该第一半导体层和该第二半导体层平坦化。